由国际权威机构电子工程专辑主办的「2026 年度全球电子成就奖」入围名单日前正式揭晓，中晶新源三款创新产品成功入围【年度功率半导体产品】奖项。此次入围，既是行业对中晶新源全栈技术实力的高度认可，也充分彰显公司在 SGT 核心技术领域的深厚积淀与创新突破。

　　1. 面向 AI 服务器电源应用的 80V SGT SMT8001AHP

　　2. 应用于数据中心 IBC 砖块电源 45V DFN3333 高频 SGT SMT4501ALRNSCG

　　3. 适配具身智能大功率关节电机 135V TOLL 低功耗 SGT SMT13T02AHTL

　　中晶新源是一家强技术导向型新一代功率半导体公司，持续推进技术迭代与性能调优，坚持创新与差异化并举，面向全球服务多领域头部客户。公司已构建覆盖芯片设计、工艺调制、封装设计与应用匹配的四维一体核心技术矩阵，对标国际头部厂商，具备国际竞争力与国产替代能力。SGT 是硅基中低压前沿技术方向，也是中晶新源核心技术亮点，持续向国际前沿技术水平迈进，并扩展至先进宽禁带半导体高中压 SiC 与 GaN 领域，持续为客户提供高可靠性、高效能、定制化的功率半导体解决方案。

　　SMT8001AHP：该功率器件采用微型 PDFN5060 贴片式封装，导通阻抗可达 1.2mΩ，各项电气特性比肩国际头部 IDMs 同类产品。通过对效率、动态性能及热裕量的系统均衡优化，综合性能处于行业前沿水平，已通过多个头部电源客户验证并进入规模化量产。

　　SMT4501ALRNSCG：采用特色创新 DFN3333-8L-SCG 双面散热及源极底置封装，对比传统封装，「源极底置封装」在散热、动态性能及效率上实现多点突破，形成差异化优势，为下一代 AI 算力基础设施提供高性能国产替代选择。

　　SMT13T02AHTL：中晶新源新一代 135V N 沟道 SGT — SMT13T02AHTL，导通阻抗低至 1.70mΩ，性能跻身国际前沿，是国内在 TOLL 高热效贴片式封装中，实现导通阻抗低于 2mΩ 的功率器件，综合性能对标国际头部同类产品。

　　中晶新源立足市场实际应用需求，以持续的技术迭代突破，不断完善高性能功率器件产品布局，面向 AI 电源、无人机电调、机器人、四足机器狗、绿电储能、汽车电子等市场推出更多兼具高效率、高可靠性与高功率密度优势的功率半导体解决方案，助力客户实现下一代高性能系统设计。